Name: SSD-накопитель SAMSUNG MZ-V9V1T0BW M.2 2280, PCIe 4.0 x4, SSD, 7150 МБ/с, 6450 МБ/с, 2.38 мм, MLC
Brand: SAMSUNG
SKU: 3280
Price: 27904 RUB
Availability: BackOrder

Ключевые факты

Артикул (MPN): MZ-V9V1T0BW
Тип: Накопители SSD
Производитель: SAMSUNG
Категория: Накопители SSD
Наличие: под заказ
Срок поставки: уточняется
Гарантия: 12 мес.
Цена: 27 904 ₽ с НДС
Поставщик: Видеокон (ИНН 7707745995)

Коротко о товаре10 параметров

Интерфейс: PCIe 4.0 x4
Максимальная скорость записи: 6450 МБ/с
Максимальная скорость чтения: 7150 МБ/с
Структура памяти NAND: MLC
Тип накопителя: SSD
Толщина: 2.38 мм
Форм-фактор: M.2 2280
Бренд: SAMSUNG
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1100000
Тип жесткого диска: SSD

Характеристики37 параметров

Характеристика	Значение
Интерфейс	PCIe 4.0 x4
Максимальная скорость записи	6450 МБ/с
Максимальная скорость чтения	7150 МБ/с
Структура памяти NAND	MLC
Тип накопителя	SSD
Толщина	2.38 мм
Форм-фактор	M.2 2280
Бренд	SAMSUNG
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)	1100000
Тип жесткого диска	SSD
Модель	MZ-V9V1T0BW
PartNumber/Артикул Производителя	MZ-V9V1T0BW
Объем накопителя	1024 ГБ
Разъем	M.2
Время наработки на отказ	1500000 ч
Тип памяти NAND	MLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)	700000
Поддержка NVMe	ДА
Ресурс TBW	400 ТБ
Потребляемая мощность	4.3 Вт
Мощность в режиме ожидания	0.055 Вт
Толщина товара	2.38 мм
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ	0.145x0.1x0.023 м
Вес упаковки (ед)	0.122 кг
Объем упаковки (ед)	0.0003335 м3
Ударостойкость при работе	1500 G
Ударостойкость при хранении	1500 G
DRAM буфер	ДА
Объем DRAM буфера	1024 МБ
Вес устройства	9 грамм
Ключ M.2 разъема	M
Поддержка TRIM	ДА
Длина товара	80.15 мм
Ширина товара	22.15 мм
Назначение	для ноутбука, для ПК
Пропускная способность интерфейса	64 Гбит/с
Цвет	черный